Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 发光器件、发光器件封装和灯单元 | |
| 其他题名 | 发光器件、发光器件封装和灯单元 |
| 丁焕熙 | |
| 2012-03-21 | |
| 专利权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种发光器件、发光器件封装和灯单元。该发光器件包括支撑衬底；发光结构，其被设置在支撑衬底上，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；电极，其被电连接到第一导电类型半导体层；以及体积层，其被设置在发光结构层上，该体积层具有大于电极厚度的厚度。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种发光器件、发光器件封装和灯单元。该发光器件包括支撑衬底；发光结构，其被设置在支撑衬底上，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；电极，其被电连接到第一导电类型半导体层；以及体积层，其被设置在发光结构层上，该体积层具有大于电极厚度的厚度。 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括： 支撑衬底； 发光结构层，所述发光结构层被设置在所述支撑衬底上，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及被设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层； 电极，所述电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；以及 体积层，所述体积层被设置在所述发光结构层上，所述体积层具有大于所述电极厚度的厚度。 |
| 申请日期 | 2011-08-26 |
| 专利号 | CN102386313A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110251462 |
| 公开（公告）号 | CN102386313A |
| IPC 分类号 | H01L33/58 | H01L33/00 | F21S2/00 | F21V19/00 | F21Y101/02 |
| 专利代理人 | 夏凯 | 谢丽娜 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55872 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁焕熙. 发光器件、发光器件封装和灯单元. CN102386313A[P]. 2012-03-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102386313A.PDF（1457KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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