发光器件及其发光器件封装

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	发光器件及其发光器件封装
其他题名	发光器件及其发光器件封装
	丁焕熙; 李尚烈; 文智炯; 金青松; 宋俊午; 崔光基
	2012-05-09
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2012-05-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种发光器件以及其发光器件封装。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；被布置在发光结构下面的第二电极层；第一电极层，其至少一部分延伸通过第二导电类型半导体层和有源层以接触第一导电类型半导体层；以及绝缘层，其布置在第二电极层和第一电极层之间、在第二导电类型半导体层和第一电极层之间、以及在有源层和第一电极层之间，其中接触第一导电类型半导体层的第一电极层的至少一部分具有粗糙。
其他摘要	本发明涉及一种发光器件以及其发光器件封装。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；被布置在发光结构下面的第二电极层；第一电极层，其至少一部分延伸通过第二导电类型半导体层和有源层以接触第一导电类型半导体层；以及绝缘层，其布置在第二电极层和第一电极层之间、在第二导电类型半导体层和第一电极层之间、以及在有源层和第一电极层之间，其中接触第一导电类型半导体层的第一电极层的至少一部分具有粗糙。
主权项	一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；第二电极层，所述第二电极层被布置在所述发光结构下面；第一电极层，所述第一电极层的至少一部分延伸通过所述第二导电类型半导体层和所述有源层以接触第一导电类型半导体层；以及绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第二电极层和所述第一电极层之间、在所述第二导电类型半导体层和所述第一电极层之间、以及在所述有源层和所述第一电极层之间，其中接触所述第一导电类型半导体层的所述第一电极层的至少一部分具有粗糙。
申请日期	2011-06-23
专利号	CN102447031A
专利状态	授权
申请号	CN201110173945.X
公开（公告）号	CN102447031A
IPC 分类号	H01L33/38 \| H01L33/22 \| H01L33/00 \| H01L33/62 \| H01L33/48
专利代理人	夏凯 \| 谢丽娜
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55861
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	丁焕熙,李尚烈,文智炯,等. 发光器件及其发光器件封装. CN102447031A[P]. 2012-05-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102447031A.PDF（2139KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文