发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装

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	发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装
其他题名	发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装
	范熙荣; 金省均; 秋圣镐
	2011-11-30
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2011-11-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，该连接层形成在第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过连接层来连接第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，并且发光器件进一步包括电极，该电极形成在第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。
其他摘要	一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，该连接层形成在第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过连接层来连接第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，并且发光器件进一步包括电极，该电极形成在第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。
主权项	一种发光器件，包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，所述连接层形成在所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过所述连接层来连接所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体，并且所述发光器件进一步包括电极，所述电极形成在所述第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、所述第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。
申请日期	2011-05-24
专利号	CN102263180A
专利状态	失效
申请号	CN201110145177.7
公开（公告）号	CN102263180A
IPC 分类号	H01L33/36 \| H01L33/04 \| H01L33/00 \| H01L33/48 \| H01L33/62 \| F21S2/00
专利代理人	夏凯 \| 谢丽娜
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55857
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	范熙荣,金省均,秋圣镐. 发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装. CN102263180A[P]. 2011-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102263180A.PDF（987KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文