发光器件、发光器件封装和照明系统

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	发光器件、发光器件封装和照明系统
其他题名	发光器件、发光器件封装和照明系统
	金省均; 林祐湜; 范熙荣; 罗珉圭
	2011-10-19
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2011-10-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。所述发光光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，其通过穿过所述衬底而至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。
其他摘要	本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。所述发光光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，其通过穿过所述衬底而至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。
主权项	一种发光器件，包括：衬底；发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，所述至少一个第一电极通过穿过所述衬底至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。
申请日期	2011-03-02
专利号	CN102222746A
专利状态	授权
申请号	CN201110051740.4
公开（公告）号	CN102222746A
IPC 分类号	H01L33/32 \| H01L33/04 \| H01L33/36 \| H01L25/075 \| H01L33/48 \| H01L33/62
专利代理人	夏凯 \| 谢丽娜
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55833
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	金省均,林祐湜,范熙荣,等. 发光器件、发光器件封装和照明系统. CN102222746A[P]. 2011-10-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102222746A.PDF（1442KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文