一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块

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	一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
其他题名	一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
	高春清; 林志锋; 高明伟; 王然; 张云山; 朱凌妮
	2010-06-16
专利权人	北京理工大学
公开日期	2010-06-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块，属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收，未吸收尽的泵浦光被激光晶体热沉的表面所反射，再次进入2μm激光晶体获得再次吸收；激光晶体热沉的反射面上镀对泵浦光的高反膜，使用中该反射面与2μm激光晶体紧包接触，不但对2μm激光晶体进行传导冷却，还将未吸收完的泵浦光反射回2μm激光晶体，提高2μm激光晶体对于泵浦光的吸收，从而获得更大功率的2μm激光输出。
其他摘要	本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块，属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收，未吸收尽的泵浦光被激光晶体热沉的表面所反射，再次进入2μm激光晶体获得再次吸收；激光晶体热沉的反射面上镀对泵浦光的高反膜，使用中该反射面与2μm激光晶体紧包接触，不但对2μm激光晶体进行传导冷却，还将未吸收完的泵浦光反射回2μm激光晶体，提高2μm激光晶体对于泵浦光的吸收，从而获得更大功率的2μm激光输出。
主权项	一种二极管列阵侧面泵浦的2μm泵浦模块，装置包括第一半导体二极管阵列(1)、第二半导体二极管阵列(2)、第三半导体二极管阵列(3)、2μm激光晶体(4)、第一激光晶体热沉(5)、第二激光晶体热沉(6)、第三激光晶体热沉(7)、第一半导体二极管阵列热沉(8)、第二半导体二极管阵列热沉(9)、第三半导体二极管阵列热沉(10)、第一热沉反射面(11)、第二热沉反射面(12)和第三热沉反射面(13)，其特征在于：第一半导体二极管阵列(1)、第二半导体二极管阵列(2)、第三半导体二极管阵列(3)输出的泵浦光束分别透射进入2μm激光晶体(4)，被2μm激光晶体(4)所吸收，未吸收尽的泵浦光分别被第一热沉反射面(11)、第二热沉反射面 (12)和第三热沉反射面(12)所反射，反射光再次进入2μm激光晶体(4)并被其再次吸收；第一半导体二极管阵列热沉(8)用于对第一半导体二极管阵列(1)进行冷却，第二半导体二极管阵列热沉(9)用于对第二半导体二极管阵列(2)进行冷却、第三半导体二极管阵列热沉(10)用于对第三半导体二极管阵列(3)进行传导冷却；第一激光晶体热沉(5)上的第一热沉反射面(11)、第二激光晶体热沉(6)上的第二热沉反射面(12)和第三激光晶体热沉(7)上的第三热沉反射面(13)，与2μm激光晶体紧包接触，反射面上镀对半导体二极管泵浦光的高反膜，不但对2μm激光晶体进行传导冷却，还将未吸收完的泵浦光反射回2μm激光晶体。
申请日期	2009-12-29
专利号	CN101740996A
专利状态	失效
申请号	CN200910243142.X
公开（公告）号	CN101740996A
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S3/042
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55787
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	高春清,林志锋,高明伟,等. 一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块. CN101740996A[P]. 2010-06-16.

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CN101740996A.PDF（333KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文