Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件 | |
| 其他题名 | 一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件 |
| 王明华; 郝寅雷; 杨建义; 江晓清; 周强; 李锡华; 唐奕 | |
| 2006-10-18 | |
| 专利权人 | 浙江大学 |
| 公开日期 | 2006-10-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件。在X－切LiNbO3基片上或在Z－切LiNbO3基片上设有耦合器和调制区；所述的耦合器为多模干涉型1×2耦合器。本发明利用了多模干涉型耦合器结构紧湊和设计制作容差大的特点，减小了耦合长度，同时由于避免了Y型1×2耦合器结构中尖角的制作，器件的制作工艺更加稳定，提高了器件的制作工艺的重复性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件。在X－切LiNbO3基片上或在Z－切LiNbO3基片上设有耦合器和调制区；所述的耦合器为多模干涉型1×2耦合器。本发明利用了多模干涉型耦合器结构紧湊和设计制作容差大的特点，减小了耦合长度，同时由于避免了Y型1×2耦合器结构中尖角的制作，器件的制作工艺更加稳定，提高了器件的制作工艺的重复性。 |
| 主权项 | 一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件，在X-切LiNbO3基片(1)上设有耦合器和调制区；其特征在于：所述的耦合器为多模干涉型1×2耦合器(8)。 |
| 申请日期 | 2006-05-15 |
| 专利号 | CN1847928A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610050750.5 |
| 公开（公告）号 | CN1847928A |
| IPC 分类号 | G02F1/065 | G02B6/125 | G02B6/26 |
| 专利代理人 | 林怀禹 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55682 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王明华,郝寅雷,杨建义,等. 一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件. CN1847928A[P]. 2006-10-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1847928A.PDF（356KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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