Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
包括发光变换元件的半导体发光器件和用于封装该器件的方法 | |
其他题名 | 包括发光变换元件的半导体发光器件和用于封装该器件的方法 |
梁星海; T·G·科勒曼; M·贝塞拉 | |
2007-04-11 | |
专利权人 | 克里公司 |
公开日期 | 2007-04-11 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 封装半导体发光器件的方法包括,将第一数量的密封剂材料配制到包括发光器件的腔中。处理腔中的第一数量的密封剂材料,以形成其具有选定形状的硬化的上表面。在处理过的第一数量的密封剂材料的上表面上,提供发光变换元件。该发光变换元件包括波长变换材料,并且其在腔的中间区域处的厚度大于在紧邻腔的侧壁的区域处的厚度。 |
其他摘要 | 封装半导体发光器件的方法包括,将第一数量的密封剂材料配制到包括发光器件的腔中。处理腔中的第一数量的密封剂材料,以形成其具有选定形状的硬化的上表面。在处理过的第一数量的密封剂材料的上表面上,提供发光变换元件。该发光变换元件包括波长变换材料,并且其在腔的中间区域处的厚度大于在紧邻腔的侧壁的区域处的厚度。 |
主权项 | 一种封装半导体发光器件的方法,包括: 将第一数量的密封剂材料配制到包括发光器件的腔中; 处理所述腔中的第一数量的密封剂材料,以形成具有选定形状的其硬化的上表面;和 在处理过的第一数量的密封剂材料的上表面上提供发光变换元件,所述发光变换元件包括波长变换材料,并且在反射腔的中间区域处的厚度大于在紧邻所述腔的侧壁的区域处的厚度。 |
申请日期 | 2005-03-24 |
专利号 | CN1947266A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200580010332.7 |
公开(公告)号 | CN1947266A |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L33/50 | H01L33/58 |
专利代理人 | 顾珊 | 张志醒 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55649 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 克里公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁星海,T·G·科勒曼,M·贝塞拉. 包括发光变换元件的半导体发光器件和用于封装该器件的方法. CN1947266A[P]. 2007-04-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN1947266A.PDF(2805KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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