基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法

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	基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法
其他题名	基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法
	关宝璐; 黎豪
	2019-09-27
专利权人	北京工业大学
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法，属于垂直腔面激光器领域。正电极(1)、亚波长光栅(3)、光波导(2)、上布拉格反射镜(5)、离子注入电流限制层(4)、量子阱有源区(9)、下布拉格反射镜(6)、有源区缓冲层(7)、衬底(8)、负电极(10)构成；在VCSEL阵列出光口制作一层亚波长光栅，并且在光栅下方制备了光波导层，或将光栅嵌入到光波导层，利用亚波长光栅将光子部分导入光波导层，利用光波导层对阵列的各个器件进行耦合，保证大功率输出功率的同时获得较高光束质量。
其他摘要	基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法，属于垂直腔面激光器领域。正电极(1)、亚波长光栅(3)、光波导(2)、上布拉格反射镜(5)、离子注入电流限制层(4)、量子阱有源区(9)、下布拉格反射镜(6)、有源区缓冲层(7)、衬底(8)、负电极(10)构成；在VCSEL阵列出光口制作一层亚波长光栅，并且在光栅下方制备了光波导层，或将光栅嵌入到光波导层，利用亚波长光栅将光子部分导入光波导层，利用光波导层对阵列的各个器件进行耦合，保证大功率输出功率的同时获得较高光束质量。
主权项	基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列结构，其特征在于，其中所述激光器主要由正电极(1)、亚波长光栅(3)、光波导(2)、上布拉格反射镜(5)、离子注入电流限制层(4)、量子阱有源区(9)、下布拉格反射镜(6)、有源区缓冲层(7)、衬底(8)、负电极(10)构成；自下而上的层次依次为负电极(10)、衬底(8)、下布拉格反射镜(6)、有源区缓冲层(7)、量子阱有源区(9)、有源区缓冲层(7)、上布拉格反射镜(5)，上布拉格反射镜(5)中预留出对应的激光出口孔，其他的注入离子形成电流限制层(4)；在激光出口孔对应的离子注入电流限制层(4)上面为亚波长光栅(3)，与亚波长光栅(3)同层的其他位置为光波导(2)，相当于在光波导(2)中激光出口孔对应的部位嵌入亚波长光栅(3)；或者激光出口孔对应的离子注入电流限制层(4)上面有光波导(2)、亚波长光栅(3)；亚波长光栅(3)位于光波导内与光波导(2)中间层同层，或者位于光波导(2)的上方。
申请日期	2019-06-26
专利号	CN110289552A
专利状态	申请中
申请号	CN201910563799.8
公开（公告）号	CN110289552A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/42
专利代理人	张立改
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55556
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,黎豪. 基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法. CN110289552A[P]. 2019-09-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110289552A.PDF（708KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文