一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法

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	一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
其他题名	一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗
	2019-09-27
专利权人	威科赛乐微电子股份有限公司
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及电子芯片技术领域，公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上生长有第一欧姆接触层，第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱，第一ODR柱上蒸镀有镜面层，镜面层的侧壁生长有SiO2保护层，镜面层上蒸镀有外延片键合层，外延片键合层上设置有Si片，Si片上蒸镀金属形成有P‑contact；第二过渡层上生长有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层生长有第二ODR柱，第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact，N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。本发明的制造方法中无较难控制的氧化工序，该芯片中的N‑contact直接连通外延片，减少了需要散热的部分，提高了功率效率和斜率效率，且ITO使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。
其他摘要	本发明涉及电子芯片技术领域，公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上生长有第一欧姆接触层，第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱，第一ODR柱上蒸镀有镜面层，镜面层的侧壁生长有SiO₂保护层，镜面层上蒸镀有外延片键合层，外延片键合层上设置有Si片，Si片上蒸镀金属形成有P‑contact；第二过渡层上生长有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层生长有第二ODR柱，第二ODR柱上蒸镀金属形成有N‑contact，N‑contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。本发明的制造方法中无较难控制的氧化工序，该芯片中的N‑contact直接连通外延片，减少了需要散热的部分，提高了功率效率和斜率效率，且ITO使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。
主权项	一种精简外延倒装VCSEL芯片，其特征在于,包括量子阱和分别设置在量子阱相对两侧的第一过渡层和第二过渡层；所述第一过渡层上生长有第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱，所述第一ODR柱截面呈倒T字形且覆盖第一欧姆接触层和第一过渡层，所述第一ODR柱上蒸镀有覆盖第一ODR柱的镜面层，所述镜面层的侧壁生长有SiO2保护层，所述SiO2保护层和镜面层的端面齐平，所述镜面层上蒸镀有外延片键合层，所述外延片键合层上设置有Si片，所述Si片上蒸镀金属形成有P-contact；所述第二过渡层上生长有第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层生长有第二ODR柱，所述第二ODR柱截面呈T字形且覆盖第二欧姆接触层和第二过渡层，所述第二ODR柱上蒸镀金属形成有N-contact，所述N-contact在第二ODR柱上表面设置有出光孔。
申请日期	2019-06-18
专利号	CN110289554A
专利状态	申请中
申请号	CN201910528502.4
公开（公告）号	CN110289554A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/022 \| H01S5/183
专利代理人	李欧
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55555
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法. CN110289554A[P]. 2019-09-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110289554A.PDF（1354KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文