flip chip型VCSEL芯片及其制造方法

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	flip chip型VCSEL芯片及其制造方法
其他题名	flip chip型VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗
	2019-09-27
专利权人	威科赛乐微电子股份有限公司
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及flip chip型VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片，衬底上蚀刻有出光孔，外延片生长在衬底底面，外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，台柱上包覆有SiNx层，SiNx层在第二型反射层上成型有孔一，SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact，P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二，P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。N‑contact的材料包括但不限于AuGe、Au，P‑contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底，可实现高效散热，达到热电分离的状态，从而提高了饱和电流，提高了功率效率及斜率效率。
其他摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及flip chip型VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片，衬底上蚀刻有出光孔，外延片生长在衬底底面，外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，台柱上包覆有SiNx层，SiNx层在第二型反射层上成型有孔一，SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact，P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二，P‑contact和N‑contact的表面蒸镀有Sn层。N‑contact的材料包括但不限于AuGe、Au，P‑contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底，可实现高效散热，达到热电分离的状态，从而提高了饱和电流，提高了功率效率及斜率效率。
主权项	flip chip型VCSEL芯片，其特征在于，包括由上至下设置的衬底、外延片，所述衬底上蚀刻有出光孔，所述外延片生长在衬底底面，所述外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层，所述第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱，所述台柱的侧壁及所述台柱背离衬底的一面上均包覆有SiNx层，所述SiNx层在第二型反射层上成型有孔一，所述SiNx层的相对两侧分别生长有N-contact和P-contact，所述P-contact和N-contact相对设置且之间设置有孔二，所述P-contact和N-contact的表面蒸镀有Sn层。
申请日期	2019-06-17
专利号	CN110289548A
专利状态	申请中
申请号	CN201910523733.6
公开（公告）号	CN110289548A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/183
专利代理人	彭啟强
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55554
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. flip chip型VCSEL芯片及其制造方法. CN110289548A[P]. 2019-09-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110289548A.PDF（527KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文