应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器

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	应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器
其他题名	应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器
	陈景标; 常鹏媛
	2019-09-20
专利权人	温州激光与光电子协同创新中心
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器，在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜，滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜，VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束，然后被部分反射膜部分反射，反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化，获得一种小型集成化、窄线宽的激光器，具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性，因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。
其他摘要	本发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器，在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜，滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜，VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束，然后被部分反射膜部分反射，反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化，获得一种小型集成化、窄线宽的激光器，具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性，因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。
主权项	一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器，所述激光器包括由依次设置的P极、P光栅、增益区、N光栅和N极组成的VCSEL激光芯片，其特征在于在所述P极的输出光端面设置滤光/反馈薄膜组，所述滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料-低折射率材料薄膜，以及设置在所述输出光端面远端的部分反射膜；所述干涉型VCSEL激光芯片输出的相干光束经所述滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束，该单波长光束被所述部分反射膜部分反射，反射光在由所述VCSEL激光芯片的输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值，使所述部分反射膜的透射光作为所述干涉型VCSEL激光器的输出激光。
申请日期	2019-06-20
专利号	CN110265873A
专利状态	申请中
申请号	CN201910537715.3
公开（公告）号	CN110265873A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/14
专利代理人	黄绿雯
代理机构	北京君智知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55543
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	温州激光与光电子协同创新中心
推荐引用方式 GB/T 7714	陈景标,常鹏媛. 应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器. CN110265873A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265873A.PDF（333KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文