波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片

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	波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片
其他题名	波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片
	乔丽君; 柴萌萌; 张明江; 张建忠; 王涛; 徐浩; 杨强
	2019-09-20
专利权人	太原理工大学
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片，包括左DBR激光器（A）、无源光波导（B）和右DBR激光器（C）；所述左DBR激光器（A）右端连接无源光波导（B）左侧，所述无源光波导（B）右侧连接右DBR激光器（C）左侧；其中，左DBR激光器（A）和右DBR激光器（C）均为三段式结构；所述左DBR激光器（A）从左往右依次为相位区、增益区、光栅区，所述右DBR激光器（C）从左往右依次为光栅区、增益区、相位区；光栅区上生长有光栅区电极，相位区上生长有相位区电极，增益区上生长有增益区电极，光栅区为分布布拉格反射光栅。本发明所述的芯片结构体积小、稳定性好、成本低，实用性强。
其他摘要	本发明公开了一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片，包括左DBR激光器（A）、无源光波导（B）和右DBR激光器（C）；所述左DBR激光器（A）右端连接无源光波导（B）左侧，所述无源光波导（B）右侧连接右DBR激光器（C）左侧；其中，左DBR激光器（A）和右DBR激光器（C）均为三段式结构；所述左DBR激光器（A）从左往右依次为相位区、增益区、光栅区，所述右DBR激光器（C）从左往右依次为光栅区、增益区、相位区；光栅区上生长有光栅区电极，相位区上生长有相位区电极，增益区上生长有增益区电极，光栅区为分布布拉格反射光栅。本发明所述的芯片结构体积小、稳定性好、成本低，实用性强。
主权项	一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片，其特征在于：包括左DBR激光器（A）、无源光波导（B）和右DBR激光器（C）；所述左DBR激光器（A）右端连接无源光波导（B）左侧，所述无源光波导（B）右侧连接右DBR激光器（C）左侧；其中，左DBR激光器（A）和右DBR激光器（C）均为三段式结构；所述左DBR激光器（A）从左往右依次为相位区、增益区、光栅区，所述右DBR激光器（C）从左往右依次为光栅区、增益区、相位区；光栅区上生长有光栅区电极，相位区上生长有相位区电极，增益区上生长有增益区电极，光栅区为分布布拉格反射光栅；所述左DBR激光器（A）与右DBR激光器（C）的中心波长频率差为10GHz~15GHz，二者的输出功率偏差低于70％；所述左DBR激光器（A）与右DBR激光器（C）通过互注入加光反馈的方式产生混沌光信号。
申请日期	2019-05-07
专利号	CN110265868A
专利状态	申请中
申请号	CN201910373323.8
公开（公告）号	CN110265868A
IPC 分类号	H01S5/062 \| H01S5/0625 \| H01S5/40 \| G02F1/35
专利代理人	朱源 \| 武建云
代理机构	太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55538
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	乔丽君,柴萌萌,张明江,等. 波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片. CN110265868A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265868A.PDF（315KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文