一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法

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	一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法
其他题名	一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞; 林新茗
	2019-09-20
专利权人	威科赛乐微电子股份有限公司
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，欧姆接触层与出光孔位置相对应，欧姆接触层上生长有ODR层，ODR层上蒸镀有镜面层，台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，SiNx层上包覆有P‑contact层，P‑contact层填充接触孔。本发明的VCSEL芯片的结构设计不影响光致发光测试，提高了测试效率，减少了后续废品率，减少了原材料的浪费。
其他摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，欧姆接触层与出光孔位置相对应，欧姆接触层上生长有ODR层，ODR层上蒸镀有镜面层，台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，SiNx层上包覆有P‑contact层，P‑contact层填充接触孔。本发明的VCSEL芯片的结构设计不影响光致发光测试，提高了测试效率，减少了后续废品率，减少了原材料的浪费。
主权项	一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，所述GaAs衬底底部蚀刻有出光孔，所述GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N-contact层，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N-DBR结构、氧化层、量子阱、P-DBR结构和欧姆接触层，所述欧姆接触层、P-DBR结构、量子阱和氧化层被蚀刻至N-DBR结构上表面形成台面，所述欧姆接触层与出光孔位置相对应，且所述欧姆接触层的大小尺寸与出光孔的相同，所述欧姆接触层上生长有ODR层，所述ODR层上蒸镀有镜面层，所述台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，所述SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，所述SiNx层上包覆有P-contact层，所述P-contact层填充所述接触孔。
申请日期	2019-06-18
专利号	CN110265872A
专利状态	申请中
申请号	CN201910527624.1
公开（公告）号	CN110265872A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	李欧
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55537
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法. CN110265872A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265872A.PDF（818KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文