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一种确定半导体激光器储备池工作点的方法
其他题名一种确定半导体激光器储备池工作点的方法
方捻; 花飞; 王陆唐
2019-09-17
专利权人上海大学
公开日期2019-09-17
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种确定半导体激光器储备池工作点的方法。设置响应激光器的偏置电流在阈值电流的±5%之间,驱动激光器与响应激光器的频率失谐在‑5GHz~0GHz之间;根据连续光注入下响应激光器的驰豫振荡周期t0设置虚节点间隔q=0.2t0,再根据所需虚节点数M,确定反馈延迟时间td=(M+1)q;初始化注入强度kinj和反馈强度kf,把连续光注入响应激光器,判断其非线性状态,如果不是注入锁定状态,则逐渐增加kinj,反之则减少kinj,直到找到注入锁定状态下的最小kinjj;在此参数下对储备池进行训练,然后把一个校验信号输入到储备池中,计算其测试结果的误差;同比例缩放kf和kinj,对比所取得的误差,最小误差对应的kf和kinj即是最佳参数,至此,半导体激光器储备池的工作点参数全部确定。
其他摘要本发明公开了一种确定半导体激光器储备池工作点的方法。设置响应激光器的偏置电流在阈值电流的±5%之间,驱动激光器与响应激光器的频率失谐在‑5GHz~0GHz之间;根据连续光注入下响应激光器的驰豫振荡周期t0设置虚节点间隔q=0.2t0,再根据所需虚节点数M,确定反馈延迟时间td=(M+1)q;初始化注入强度kinj和反馈强度kf,把连续光注入响应激光器,判断其非线性状态,如果不是注入锁定状态,则逐渐增加kinj,反之则减少kinj,直到找到注入锁定状态下的最小kinjj;在此参数下对储备池进行训练,然后把一个校验信号输入到储备池中,计算其测试结果的误差;同比例缩放kfkinj,对比所取得的误差,最小误差对应的kfkinj即是最佳参数,至此,半导体激光器储备池的工作点参数全部确定。
主权项一种确定半导体激光器储备池工作点的方法,其特征在于,包括如下步骤: 1)设置响应激光器的偏置电流在阈值电流的±5%之间,驱动激光器与响应激光器的频率失谐在-5GHz~0GHz之间; 2)根据连续光注入下响应激光器的驰豫振荡周期τ0设置虚节点间隔θ=0.2τ0,再根据需要的虚节点数M,确定反馈延迟时间τd=(M+1)θ; 3)初始化注入强度和反馈强度,把连续光注入响应激光器,判断响应激光器的工作状态,如果不是注入锁定状态,则逐渐增加注入强度,反之则减少注入强度,直到找到注入锁定状态下的最小注入强度; 4)在此参数下对储备池进行训练,然后把一个校验信号输入到储备池中,计算其测试结果的误差; 5)同比例缩放反馈强调度和注入强度,对比所取得的误差,最小误差对应的注入强度和反馈强度即是最佳的,至此,半导体激光器储备池的工作点参数全部确定。
申请日期2019-05-13
专利号CN110247298A
专利状态申请中
申请号CN201910391868.1
公开(公告)号CN110247298A
IPC 分类号H01S5/06 | H01S5/065
专利代理人陆聪明
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55529
专题半导体激光器专利数据库
作者单位上海大学
推荐引用方式
GB/T 7714
方捻,花飞,王陆唐. 一种确定半导体激光器储备池工作点的方法. CN110247298A[P]. 2019-09-17.
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