一种VCSEL激光器及其制作方法

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	一种VCSEL激光器及其制作方法
其他题名	一种VCSEL激光器及其制作方法
	林志伟; 陈凯轩; 蔡建九; 彭钰仁; 杜石磊
	2019-09-13
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-09-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
其他摘要	本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
主权项	一种VCSEL激光器，其特征在于，包括：沿垂直方向依次层叠的第一电极、导电基板、键合层、透明导电层、第一欧姆接触层、第一DBR层、第一氧化层、有源层、第二氧化层、第二欧姆接触层和第二DBR层，所述透明导电层位于所述导电基板的中心区域，所述第一欧姆接触层位于所述第一DBR层的中心区域，所述第二DBR层位于所述第二欧姆接触层的中心区域，还包括绝缘介质层和环形第二电极，所述绝缘介质层设于所述导电基板和所述第一DBR层之间并环绕所述透明导电层和第一欧姆接触层设置，所述环形第二电极设于所述第二欧姆接触层设有第二DBR层的一侧并环绕所述第二DBR层设置，所述透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，所述第一氧化层具有第二导电通道，所述第二氧化层具有第三导电通道，所述环形第二电极的中空部位构成出光孔，所述出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小。
申请日期	2019-07-17
专利号	CN110233425A
专利状态	申请中
申请号	CN201910644334.5
公开（公告）号	CN110233425A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55525
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	林志伟,陈凯轩,蔡建九,等. 一种VCSEL激光器及其制作方法. CN110233425A[P]. 2019-09-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110233425A.PDF（1739KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文