垂直腔面发射激光器及其功率调节方法

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	垂直腔面发射激光器及其功率调节方法
其他题名	垂直腔面发射激光器及其功率调节方法
	郭海侠; 张鹏; 向宇
	2019-09-06
专利权人	苏州长瑞光电有限公司
公开日期	2019-09-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述垂直腔面发射激光器包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。本发明还公开了上述垂直腔面发射激光器的功率调节方法。相比现有技术，本发明可在优化非气密封装VCSEL的可靠性及寿命同时，还可以较低的工艺难度和成本实现VCSEL发射功率的大范围调节。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述垂直腔面发射激光器包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al₂O₃层、SiN_x层、上Al₂O₃层所组成的复合膜结构，所述下Al₂O₃层的物理厚度不大于5nm，SiN_x层的光学厚度为1/4λ，上Al₂O₃层的物理厚度不小于10nm。本发明还公开了上述垂直腔面发射激光器的功率调节方法。相比现有技术，本发明可在优化非气密封装VCSEL的可靠性及寿命同时，还可以较低的工艺难度和成本实现VCSEL发射功率的大范围调节。
主权项	一种垂直腔面发射激光器，包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，其特征在于，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。
申请日期	2019-07-08
专利号	CN110212407A
专利状态	申请中
申请号	CN201910608668.7
公开（公告）号	CN110212407A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/06
专利代理人	杨楠
代理机构	北京德崇智捷知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55515
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长瑞光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	郭海侠,张鹏,向宇. 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法. CN110212407A[P]. 2019-09-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110212407A.PDF（392KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文