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一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
其他题名一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
张保平; 梅洋; 许荣彬; 徐欢; 应磊莹; 郑志威
2019-09-06
专利权人厦门大学
公开日期2019-09-06
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及光电子、半导体激光技术领域,特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法,其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题,且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料,金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性;金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备,工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。
其他摘要本发明涉及光电子、半导体激光技术领域,特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法,其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题,且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料,金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性;金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备,工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。
主权项一种电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,所述半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,所述半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。
申请日期2019-06-14
专利号CN110212078A
专利状态申请中
申请号CN201910514858.2
公开(公告)号CN110212078A
IPC 分类号H01L33/58 | H01L33/62 | H01L33/64
专利代理人何建华
代理机构厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55514
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张保平,梅洋,许荣彬,等. 一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法. CN110212078A[P]. 2019-09-06.
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