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半导体激光器阵列封装结构
其他题名半导体激光器阵列封装结构
徐之光; 程东; 马云振
2019-08-30
专利权人宁波东立创芯光电科技有限公司
公开日期2019-08-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明属于光通信技术领域,涉及一种半导体激光器阵列封装结构,解决了半导体激光器阵列芯片的封装问题,n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面;n个MPD均贴装至衬底正面;n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面;每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外;n个MPD均通过金线连接至衬底之外;每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接,且每个金属化过孔分别通过一根金属化导线与各耦合电容的一端连接,各耦合电容的另一端分别通过一根金属化导线与匹配电阻连接。在任何外调制激光器(EML:External Modulated Laser)阵列光器件中,都可以借鉴应用。
其他摘要本发明属于光通信技术领域,涉及一种半导体激光器阵列封装结构,解决了半导体激光器阵列芯片的封装问题,n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面;n个MPD均贴装至衬底正面;n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面;每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外;n个MPD均通过金线连接至衬底之外;每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接,且每个金属化过孔分别通过一根金属化导线与各耦合电容的一端连接,各耦合电容的另一端分别通过一根金属化导线与匹配电阻连接。在任何外调制激光器(EML:External Modulated Laser)阵列光器件中,都可以借鉴应用。
主权项一种半导体激光器阵列封装结构,包括衬底、n个激光器芯片、n个耦合电容、n个MPD及n个匹配电阻;其中n为正整数; 其特征在于: 所述衬底的正面及背面均设有2n条金属化导线;所述衬底上还开设有n个金属化过孔; 所述n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面;所述n个MPD均贴装至衬底正面;所述n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面; 每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外; n个MPD均通过金线连接至衬底之外; 每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接,且每个金属化过孔分别通过一根金属化导线与各耦合电容的一端连接,各耦合电容的另一端分别通过一根金属化导线与匹配电阻连接。
申请日期2019-05-24
专利号CN110190504A
专利状态申请中
申请号CN201910440207.3
公开(公告)号CN110190504A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/026 | H01S5/40
专利代理人汪海艳
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55491
专题半导体激光器专利数据库
作者单位宁波东立创芯光电科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
徐之光,程东,马云振. 半导体激光器阵列封装结构. CN110190504A[P]. 2019-08-30.
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