半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法

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	半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法
其他题名	半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法
	渊田步; 奥贯雄一郎; 境野刚; 上辻哲也; 中村直干
	2019-08-27
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2019-08-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。
其他摘要	特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、后端面、和呈倒台面斜面的前端面；防反射涂膜，其形成于该前端面；反射膜，其形成于该后端面；衍射光栅，其形成于该有源层之上或之下；上部电极，其形成于该谐振器部之上；以及下部电极，其形成于该半导体基板之下，该谐振器部的谐振器方向的长度比该半导体基板的该谐振器方向的长度短，从该前端面射出激光。
主权项	一种半导体激光元件，其特征在于，具备：半导体基板；谐振器部，其形成于半导体基板之上，具有有源层、衍射光栅、后端面、和呈倒台面斜面的前端面，该衍射光栅形成于所述有源层之上或之下；防反射涂膜，其形成于所述前端面；反射膜，其形成于所述后端面；上部电极，其形成于所述谐振器部之上；以及下部电极，其形成于所述半导体基板之下，所述谐振器部的谐振器方向的长度比所述半导体基板的所述谐振器方向的长度短，从所述前端面射出激光。
申请日期	2017-01-19
专利号	CN110178275A
专利状态	申请中
申请号	CN201780083335.6
公开（公告）号	CN110178275A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	何立波 \| 张天舒
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55478
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	渊田步,奥贯雄一郎,境野刚,等. 半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法. CN110178275A[P]. 2019-08-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110178275A.PDF（847KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文