一种半导体激光器的生产方法

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	一种半导体激光器的生产方法
其他题名	一种半导体激光器的生产方法
	苏建; 李沛旭; 汤庆敏; 夏伟; 郑兆河; 肖成峰
	2019-08-13
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2019-08-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光器的生产方法。本发明所述半导体激光器的生产方法，利用特定位置开槽、绝缘处理，并使用金属蒸镀方法实现激光器N面大面积与激光器基底之间的连接，可直接在激光器基底上连接导线使用，省去了传统球焊机的焊接过程，避免了因球焊机焊接导致的芯片破损、焊接空洞、焊接不牢等现象。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器的生产方法。本发明所述半导体激光器的生产方法，利用特定位置开槽、绝缘处理，并使用金属蒸镀方法实现激光器N面大面积与激光器基底之间的连接，可直接在激光器基底上连接导线使用，省去了传统球焊机的焊接过程，避免了因球焊机焊接导致的芯片破损、焊接空洞、焊接不牢等现象。
主权项	一种半导体激光器的生产方法，其特征在于，包括步骤如下： 1)制作激光器基底，在所述激光器基底的表面蒸镀金属导电层； 2)在激光器基底表面涂光刻胶，使用光刻板曝光，得到均匀排列的横向槽和纵向槽； 3)光刻胶显影；去掉横向槽和纵向槽中的光刻胶，其他区域光刻胶保护； 4)去掉横向槽和纵向槽内的金属导电层；刻蚀横向槽和纵向槽内的激光器基底，刻蚀深度≥10um； 5)清洗激光器基底，将P面朝下的激光器芯片封装到激光器基底上，激光器芯片的出光面探出横向槽下侧边0～10um，激光器芯片的右侧边在纵向槽左侧边的内侧10～50um； 6)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形区域；所述长方形区域的左侧边跨过激光器芯片右侧边30～50um，长方形区域的右侧边跨过所述纵向槽的右侧边30～50um；长方形区域的上侧边在激光器芯片上侧边内侧30～50um，长方形区域的下侧边在激光器芯片下侧边内侧30～50um；显影后，激光器基底表面长方形区域外的区域光刻胶保护； 7)在激光器基底表面生长绝缘膜，厚度≥0.02um，生长后剥离表面光刻胶，仅在所述长方形区域内保留绝缘膜； 8)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形蒸镀金属区，长方形蒸镀金属区的左侧边与激光器芯片的左侧边距离≥30um，长方形蒸镀金属区的右侧边跨过所述纵向槽的左侧边100um～500um；显影后所述长方形蒸镀金属区内没有光刻胶保护； 9)在激光器基底表面蒸镀金属层，金属层厚度≥0.5um，蒸镀金属层后将光刻胶剥离去除； 10)切割得到单个激光器芯片；以所述纵向槽为边界，纵向槽的左侧为激光器芯片正电极，纵向槽的右侧为激光器芯片负电极。
申请日期	2018-02-07
专利号	CN110120626A
专利状态	申请中
申请号	CN201810123990
公开（公告）号	CN110120626A
IPC 分类号	H01S5/022
专利代理人	叶亚林
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55440
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	苏建,李沛旭,汤庆敏,等. 一种半导体激光器的生产方法. CN110120626A[P]. 2019-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110120626A.PDF（560KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文