一种垂直外腔面发射半导体激光器

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	一种垂直外腔面发射半导体激光器
其他题名	一种垂直外腔面发射半导体激光器
	李林; 曾丽娜; 李再金; 乔忠良; 赵志斌; 曲轶; 彭鸿雁
	2019-08-09
专利权人	海南师范大学
公开日期	2019-08-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本发明提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高反射膜、增透膜制备的问题。本发明提出的一种垂直外腔面发射半导体激光器的外腔镜制备工艺简单，增大了单程增益长度，能有效减小外腔的腔长，获得高反射率外腔镜。
其他摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本发明提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高反射膜、增透膜制备的问题。本发明提出的一种垂直外腔面发射半导体激光器的外腔镜制备工艺简单，增大了单程增益长度，能有效减小外腔的腔长，获得高反射率外腔镜。
主权项	一种垂直外腔面发射半导体激光器，其特征在于一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉1，蓝宝石衬底2，缓冲层3，同质结DBR层4，势垒层5，有源区6，隧道结层7，电流注入层8，窗口层9及DBR外腔镜10组成。
申请日期	2019-06-20
专利号	CN110112653A
专利状态	申请中
申请号	CN201910536512.2
公开（公告）号	CN110112653A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55437
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	海南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李林,曾丽娜,李再金,等. 一种垂直外腔面发射半导体激光器. CN110112653A[P]. 2019-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110112653A.PDF（523KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文