Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法 | |
其他题名 | 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法 |
文岐业; 张豪; 申朝阳; 何雨莲; 杨青慧; 谭为; 冯正; 张怀武 | |
2019-08-06 | |
专利权人 | 电子科技大学 |
公开日期 | 2019-08-06 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统,太赫兹调制器从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层,硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列,每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构,调制系统包括:半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器,本发明对于0.4THz~0.85THz的太赫兹波具有22%以下的反射率,在0.82THz处达到最低18%,可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率,提高太赫兹波的利用率;在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5%的调制深度;太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器,有效提高成像系统中的分辨率达到29%以上。 |
其他摘要 | 本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统,太赫兹调制器从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层,硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列,每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构,调制系统包括:半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器,本发明对于0.4THz~0.85THz的太赫兹波具有22%以下的反射率,在0.82THz处达到最低18%,可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率,提高太赫兹波的利用率;在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5%的调制深度;太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器,有效提高成像系统中的分辨率达到29%以上。 |
主权项 | 一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器,其特征在于从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底(12)、SiO2隔离层(11)、硅基微结构(10)、Al2O3钝化层(9),硅基微结构(10)在SiO2隔离层(11)上周期性排列,每个硅基微结构(10)包括两层正方形Si基台阶结构,从上至下分别为上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102),上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102)的中心对齐,上层Si基台阶(101)的边长小于下层Si基台阶(102)的边长。 |
申请日期 | 2019-05-07 |
专利号 | CN110095888A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201910376814.8 |
公开(公告)号 | CN110095888A |
IPC 分类号 | G02F1/01 |
专利代理人 | 敖欢 | 葛启函 |
代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55423 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 电子科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 文岐业,张豪,申朝阳,等. 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法. CN110095888A[P]. 2019-08-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN110095888A.PDF(753KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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