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基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法
其他题名基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法
文岐业; 张豪; 申朝阳; 何雨莲; 杨青慧; 谭为; 冯正; 张怀武
2019-08-06
专利权人电子科技大学
公开日期2019-08-06
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统,太赫兹调制器从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层,硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列,每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构,调制系统包括:半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器,本发明对于0.4THz~0.85THz的太赫兹波具有22%以下的反射率,在0.82THz处达到最低18%,可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率,提高太赫兹波的利用率;在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5%的调制深度;太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器,有效提高成像系统中的分辨率达到29%以上。
其他摘要本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统,太赫兹调制器从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层,硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列,每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构,调制系统包括:半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器,本发明对于0.4THz~0.85THz的太赫兹波具有22%以下的反射率,在0.82THz处达到最低18%,可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率,提高太赫兹波的利用率;在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5%的调制深度;太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器,有效提高成像系统中的分辨率达到29%以上。
主权项一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器,其特征在于从下至上依次包括:底层的Al2O3衬底(12)、SiO2隔离层(11)、硅基微结构(10)、Al2O3钝化层(9),硅基微结构(10)在SiO2隔离层(11)上周期性排列,每个硅基微结构(10)包括两层正方形Si基台阶结构,从上至下分别为上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102),上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102)的中心对齐,上层Si基台阶(101)的边长小于下层Si基台阶(102)的边长。
申请日期2019-05-07
专利号CN110095888A
专利状态申请中
申请号CN201910376814.8
公开(公告)号CN110095888A
IPC 分类号G02F1/01
专利代理人敖欢 | 葛启函
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55423
专题半导体激光器专利数据库
作者单位电子科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
文岐业,张豪,申朝阳,等. 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法. CN110095888A[P]. 2019-08-06.
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