一种DFB半导体激光器芯片

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	一种DFB半导体激光器芯片
其他题名	一种DFB半导体激光器芯片
	薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉
	2019-08-02
专利权人	福建中科光芯光电科技有限公司
公开日期	2019-08-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出一种DFB半导体激光器芯片，所述芯片的制备方法依次包括以下步骤；A1、在衬底层上通过MOCVD外延生长N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱层、AlGaInAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层，完成材料基片生长；A2、制备1/2光栅，生长InP间隔层、InGaAsP腐蚀停止层、InP空间层、InGaAsP过渡层、P+‑InGaAs欧姆接触层；A3、进行后续制备工艺，完成激光器芯片制备；本发明通过制造工艺的优化，使得制备的芯片具有低垂直发散角、载流子限制效率高的特点。
其他摘要	本发明提出一种DFB半导体激光器芯片，所述芯片的制备方法依次包括以下步骤；A1、在衬底层上通过MOCVD外延生长N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱层、AlGaInAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层，完成材料基片生长；A2、制备1/2光栅，生长InP间隔层、InGaAsP腐蚀停止层、InP空间层、InGaAsP过渡层、P+‑InGaAs欧姆接触层；A3、进行后续制备工艺，完成激光器芯片制备；本发明通过制造工艺的优化，使得制备的芯片具有低垂直发散角、载流子限制效率高的特点。
主权项	一种DFB半导体激光器芯片，其特征在于：所述芯片的制备方法依次包括以下步骤； A1、在衬底层上通过MOCVD外延生长N-InP缓冲层、N-InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱层、AlGaInAs上波导层、P-InAlAs电子阻挡层、P-InP空间层、P-InGaAsP光栅层，完成材料基片生长； A2、制备1/2光栅，生长InP间隔层、InGaAsP腐蚀停止层、InP空间层、InGaAsP过渡层、P+-InGaAs欧姆接触层； A3、进行后续制备工艺，完成激光器芯片制备。
申请日期	2019-05-06
专利号	CN110086085A
专利状态	申请中
申请号	CN201910369456.8
公开（公告）号	CN110086085A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	郭东亮 \| 蔡学俊
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55418
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	薛正群,吴林福生,杨重英,等. 一种DFB半导体激光器芯片. CN110086085A[P]. 2019-08-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110086085A.PDF（305KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文