基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法

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	基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法
其他题名	基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法
	关宝璐; 张峰
	2019-07-23
专利权人	北京工业大学
公开日期	2019-07-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，属于光电子学领域。该阵列结构由下到上主要包括下电极，衬底，超晶格，下DBR，有源区，氧化限制层，二氧化硅钝化层，上DBR，上电极。本发明利用超晶格的热电各向异性，电子在超晶格内部通过热电子发射，使激光器所产生的热量更容易在垂直和水平方向上传导，不仅使激光器整体的温度得到降低，同时改善了激光器阵列的热均匀性，进一步降低了激光器阵列整体温度，并使阵列中的各个激光器单元间的温差减小，改善了激光器阵列的光输出特性。
其他摘要	基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，属于光电子学领域。该阵列结构由下到上主要包括下电极，衬底，超晶格，下DBR，有源区，氧化限制层，二氧化硅钝化层，上DBR，上电极。本发明利用超晶格的热电各向异性，电子在超晶格内部通过热电子发射，使激光器所产生的热量更容易在垂直和水平方向上传导，不仅使激光器整体的温度得到降低，同时改善了激光器阵列的热均匀性，进一步降低了激光器阵列整体温度，并使阵列中的各个激光器单元间的温差减小，改善了激光器阵列的光输出特性。
主权项	一种基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，该结构自下而上主要包括激光器阵列背面电极(1)、半导体衬底(2)、超晶格(3)、下DBR(4)、第一限制层(5)、有源区(6)、第二限制层(5’)，在第二限制层(5’)的上表面分布有激光器阵列；所述的激光器阵列为：在第二限制层(5’)的上表面分布有氧化孔(8)阵列，在第二限制层(5’)的上表面每个氧化孔(8)的四周为一个氧化限制层(7)，在每个氧化孔(8)和氧化限制层(7)的上面为一个上DBR(10)，即每个上DBR(10)同时对应的覆盖氧化孔(8)和氧化限制层(7)；在第二限制层(5’)余下的上表面、氧化孔(8)侧面和氧化限制层(7)的侧面以及氧化限制层(7)的上表面均覆盖一层二氧化硅钝化层(9)，且二氧化硅钝化层(9)在每个氧化限制层(7)的上表面设有一个孔，孔的结构覆盖对应的氧化孔(8)，在每个氧化孔(8)阵列单元对应的氧化限制层(7)的表面处均设有一个正面电极(11)，正面电极(11)在氧化限制层(7)上表面设有孔，正面电极(11)的孔覆盖氧化孔(8)，且正面电极(11)的孔与氧化限制层(7)的孔上下重叠，且正面电极(11)包裹住氧化限制层(7)空的四周。
申请日期	2019-04-25
专利号	CN110048302A
专利状态	申请中
申请号	CN201910340539.4
公开（公告）号	CN110048302A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/42
专利代理人	张立改
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55398
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,张峰. 基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法. CN110048302A[P]. 2019-07-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110048302A.PDF（1037KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文