非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵

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	非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵
其他题名	非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵
	晏长岭; 杨静航; 刘云; 冯源; 郝永芹; 逢超
	2019-07-12
专利权人	长春理工大学
公开日期	2019-07-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵，光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中，自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放，最上方为阵列基片；阵列基片的数量为3～5个；阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。
其他摘要	非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵，光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中，自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放，最上方为阵列基片；阵列基片的数量为3～5个；阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。
主权项	一种非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，自热沉(1)起由下而上若干阵列基片(2)、微通道散热板(3)交替叠放，最上方为阵列基片(2)；微通道散热板(3)内部布设冷却液微通道；阵列基片(2)的数量为3～5个；阵列基片(2)由衬底(4)及在衬底(4)上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔(5)构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔(5)按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔(5)出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔(5)出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔(5)的几何中心相距二分之一几何中心距。
申请日期	2019-04-22
专利号	CN110011179A
专利状态	申请中
申请号	CN201910322106.6
公开（公告）号	CN110011179A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/10 \| H01S5/40 \| H01S5/022
专利代理人	王丹阳
代理机构	长春众邦菁华知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55372
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	晏长岭,杨静航,刘云,等. 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵. CN110011179A[P]. 2019-07-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110011179A.PDF（366KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文