Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 微激光二极管转移方法和制造方法 | |
| 其他题名 | 微激光二极管转移方法和制造方法 |
| 邹泉波; 王喆 | |
| 2019-06-18 | |
| 专利权人 | 歌尔股份有限公司 |
| 公开日期 | 2019-06-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种微激光二极管转移方法和制造方法。该转移方法包括：在接收衬底上形成结合层，其中，第一类型电极连接到所述结合层；将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种微激光二极管转移方法和制造方法。该转移方法包括：在接收衬底上形成结合层，其中，第一类型电极连接到所述结合层；将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。 |
| 主权项 | 一种用于转移微激光二极管的方法，包括： 在接收衬底上形成结合层，其中，第一类型电极连接到所述结合层； 将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；以及 从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。 |
| 申请日期 | 2016-12-05 |
| 专利号 | CN109906518A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201680090653.0 |
| 公开（公告）号 | CN109906518A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 李慧 |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55313 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 歌尔股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹泉波,王喆. 微激光二极管转移方法和制造方法. CN109906518A[P]. 2019-06-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109906518A.PDF（573KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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