电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法

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	电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法
其他题名	电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法
	黎大兵; 王勇; 孙晓娟; 贾玉萍; 石芝铭; 刘新科
	2019-06-14
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-06-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法涉及半导体激光器制造技术领域，解决了无法实现更短发光波长的问题，包括从下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN限制层、n型AlGaN波导层、AlGaN有源层、p型AlGaN波导层、p面高反射率限制层，还包括设置在n型AlGaN限制层上且不连接n型AlGaN波导层的n面电极、设置在p型AlGaN波导层上且不连接p型AlGaN波导层的p面电极。方法包括在衬底上外延生长、p型掺杂；光刻、刻蚀电极图形；沉积金属电极；制备谐振腔面；腔面膜沉积。本发明降低了器件的阈值密度电流密度、提高器件的内量子效率、降低发光波长；制备方法工艺简单且应用前景广阔。
其他摘要	电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法涉及半导体激光器制造技术领域，解决了无法实现更短发光波长的问题，包括从下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN限制层、n型AlGaN波导层、AlGaN有源层、p型AlGaN波导层、p面高反射率限制层，还包括设置在n型AlGaN限制层上且不连接n型AlGaN波导层的n面电极、设置在p型AlGaN波导层上且不连接p型AlGaN波导层的p面电极。方法包括在衬底上外延生长、p型掺杂；光刻、刻蚀电极图形；沉积金属电极；制备谐振腔面；腔面膜沉积。本发明降低了器件的阈值密度电流密度、提高器件的内量子效率、降低发光波长；制备方法工艺简单且应用前景广阔。
主权项	电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器，包括衬底(7)，其特征在于，还包括：设置在衬底(7)上的AlN缓冲层(6)；设置在AlN缓冲层(6)上的n型AlGaN限制层(5)；设置在n型AlGaN限制层(5)上的n型AlGaN波导层(4)；设置在n型AlGaN限制层(5)上的n面电极(9)，所述n面电极(9)与n型AlGaN波导层(4)不连接；设置在n型AlGaN波导层(4)上的AlGaN有源层(3)；设置在AlGaN有源层(3)上的p型AlGaN波导层(2)；设置在p型AlGaN波导层(2)上的p面高反射率限制层(1)；设置在p型AlGaN波导层(2)上的p面电极(8)，所述p面电极(8)与p型AlGaN波导层(2)不连接。
申请日期	2019-04-17
专利号	CN109888612A
专利状态	申请中
申请号	CN201910307014.0
公开（公告）号	CN109888612A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/323
专利代理人	王丹阳
代理机构	长春众邦菁华知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55308
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黎大兵,王勇,孙晓娟,等. 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法. CN109888612A[P]. 2019-06-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109888612A.PDF（321KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文