Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种片上集成级联放大半导体激光器 | |
其他题名 | 一种片上集成级联放大半导体激光器 |
唐淳; 周坤; 杜维川; 康俊杰; 李弋; 谭昊; 王昭; 高松信 | |
2019-06-11 | |
专利权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
公开日期 | 2019-06-11 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器,其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导;DBR光栅结构设置于所述脊型区上;脊型区为脊型波导结构,锥型区为增益波导结构;外延波导具有一阶阶梯厚度,脊型区设置于外延波导较薄侧,锥型区设置于外延波导较厚侧,脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式,可以更加充分地利用锥型区增益,基于等光通量的原理,可以在模体积扩展的同时,保持了基模特性,保证了近衍射极限激光的光学质量,从而实现了亮度的大幅提升。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器,其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导;DBR光栅结构设置于所述脊型区上;脊型区为脊型波导结构,锥型区为增益波导结构;外延波导具有一阶阶梯厚度,脊型区设置于外延波导较薄侧,锥型区设置于外延波导较厚侧,脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式,可以更加充分地利用锥型区增益,基于等光通量的原理,可以在模体积扩展的同时,保持了基模特性,保证了近衍射极限激光的光学质量,从而实现了亮度的大幅提升。 |
主权项 | 一种片上集成级联放大半导体激光器,包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导;所述DBR光栅结构设置于所述脊型区上;所述脊型区为脊型波导结构,所述锥型区为增益波导结构;其特征在于,所述外延波导具有一阶阶梯厚度,所述脊型区设置于外延波导较薄侧,所述锥型区设置于外延波导较厚侧,所述脊型区和所述锥型区级联。 |
申请日期 | 2019-04-17 |
专利号 | CN109873295A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201910308289.6 |
公开(公告)号 | CN109873295A |
IPC 分类号 | H01S5/125 | H01S5/22 | H01S5/042 |
专利代理人 | 阳佑虹 |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55298 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐淳,周坤,杜维川,等. 一种片上集成级联放大半导体激光器. CN109873295A[P]. 2019-06-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109873295A.PDF(305KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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