一种片上集成级联放大半导体激光器

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	一种片上集成级联放大半导体激光器
其他题名	一种片上集成级联放大半导体激光器
	唐淳; 周坤; 杜维川; 康俊杰; 李弋; 谭昊; 王昭; 高松信
	2019-06-11
专利权人	中国工程物理研究院应用电子学研究所
公开日期	2019-06-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
其他摘要	本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
主权项	一种片上集成级联放大半导体激光器，包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；所述DBR光栅结构设置于所述脊型区上；所述脊型区为脊型波导结构，所述锥型区为增益波导结构；其特征在于，所述外延波导具有一阶阶梯厚度，所述脊型区设置于外延波导较薄侧，所述锥型区设置于外延波导较厚侧，所述脊型区和所述锥型区级联。
申请日期	2019-04-17
专利号	CN109873295A
专利状态	申请中
申请号	CN201910308289.6
公开（公告）号	CN109873295A
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/22 \| H01S5/042
专利代理人	阳佑虹
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55298
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国工程物理研究院应用电子学研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐淳,周坤,杜维川,等. 一种片上集成级联放大半导体激光器. CN109873295A[P]. 2019-06-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109873295A.PDF（305KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文