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一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路
其他题名一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路
陈少强; 冉旭; 刁盛锡; 田赟鹏; 李鹏涛; 徐冬冬; 王亚斯
2019-06-07
专利权人华东师范大学
公开日期2019-06-07
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路,包括触发信号模块及CMOS脉冲产生模块,所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块,CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出。本发明利用与门输入与输出之间竞争的关系,从而产生一个短脉冲。脉冲的幅度和脉宽能够通过调节变容管和MOSFET的偏压大小来控制。可以产生脉宽在80ps‑270ns范围,幅度最高达到8V的电脉冲信号。可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
其他摘要本发明公开了一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路,包括触发信号模块及CMOS脉冲产生模块,所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块,CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出。本发明利用与门输入与输出之间竞争的关系,从而产生一个短脉冲。脉冲的幅度和脉宽能够通过调节变容管和MOSFET的偏压大小来控制。可以产生脉宽在80ps‑270ns范围,幅度最高达到8V的电脉冲信号。可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
主权项一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路,其特征在于,该电路包括:触发信号模块及CMOS脉冲产生模块,所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块,CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出;其中:所述触发信号模块包括晶振U1、电位器R1、电阻R2、电容C5、电容C6及电容C7,所述晶振U1的VCC端通过并联的三个电容C5、电容C6及电容C7接电源VCC,GND端接地,OUT端通过连接电位器R1控制晶振输出信号的幅值,调节后的输出信号接入到下级CMOS脉冲产生模块,电阻R2与触发信号模块的输出端并联后接地; 所述CMOS脉冲产生模块包括CMOS脉冲产生芯片Pulse_G、电位器R3、电位器R4、电容C7、电容C8及电容C9,其中CMOS脉冲产生芯片Pulse_G拥有数个管脚分别对应:脚0为Vss端接地;脚1为IN端接前级触发模块输出的触发信号;脚2为TB控制端接电位器R3有效端,电位器R3左右两端一端接电源VDD、一端接地;脚3为OUT端为脉冲信号输出端,脚4为PAD_VDD端接电源VDD;脚5为CORE_VDD端通过并联电容C8、电容C9和电容C10接电源VDD;脚6为TA控制端、接电位器R4有效端,电位器R4左右两端一端接电源VDD、一端接地。
申请日期2019-01-21
专利号CN109861076A
专利状态申请中
申请号CN201910051936.X
公开(公告)号CN109861076A
IPC 分类号H01S5/042
专利代理人徐筱梅 | 张翔
代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55284
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华东师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈少强,冉旭,刁盛锡,等. 一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路. CN109861076A[P]. 2019-06-07.
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