一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源

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	一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源
其他题名	一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源
	靳晓丽; 苏静; 彭堃墀
	2019-06-04
专利权人	山西大学
公开日期	2019-06-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光器驱动电源，具体是一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动电源。一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源，包括保护装置和恒流源电路，在保护装置中，直流稳压电源的正电压VCC通过第一电阻（11）连接第一二极管（1）的阳极和比较器(3)的同相输入端，第一二极管（1）的阴极接地，比较器（3）的反相输入端通过可调电位器（2）连接正电压VCC端。本发明可以为半导体激光器提供安全、可靠、连续可调、抗干扰能力强的恒定驱动电流源。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器驱动电源，具体是一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动电源。一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源，包括保护装置和恒流源电路，在保护装置中，直流稳压电源的正电压VCC通过第一电阻（11）连接第一二极管（1）的阳极和比较器(3)的同相输入端，第一二极管（1）的阴极接地，比较器（3）的反相输入端通过可调电位器（2）连接正电压VCC端。本发明可以为半导体激光器提供安全、可靠、连续可调、抗干扰能力强的恒定驱动电流源。
主权项	一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源，其特征在于：包括保护装置和恒流源电路，在保护装置中，直流稳压电源的正电压VCC通过第一电阻（11）连接第一二极管（1）的阳极和比较器(3)的同相输入端，第一二极管（1）的阴极接地，比较器（3）的反相输入端通过可调电位器（2）连接正电压VCC端；比较器（3）的输出端通过第二二极管（9）连接阻值为10kΩ的大电阻（4）和P沟道场效应管（8）的源极s，P沟道场效应管（8）的源极s通过第二电阻（12）接地，大电阻（4）的另一端与电容值为100uF的大电容（5）和N沟道场效应管（6）的栅极g相连，N沟道场效应管（6）的源极s和大电容（5）的另一端均接地，N沟道场效应管（6）的漏极d与继电器（7）的接地端和P沟道场效应管（8）的栅极g相连，P沟道场效应管（8）的漏极d和继电器（7）的电源端均接至正电压VCC端，继电器（7）的常闭端与半导体激光器LD的两端相连，半导体激光器LD的阳极接正电压VCC端，半导体激光器LD的阴极和继电器（7）的公共端相连，继电器（7）的另一端接至恒流源电路。
申请日期	2019-03-06
专利号	CN109842016A
专利状态	申请中
申请号	CN201910168846.9
公开（公告）号	CN109842016A
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	李富元
代理机构	太原市科瑞达专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55271
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西大学
推荐引用方式 GB/T 7714	靳晓丽,苏静,彭堃墀. 一种带有全面保护装置的半导体激光器驱动源. CN109842016A[P]. 2019-06-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109842016A.PDF（406KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文