一种单片集成半导体随机激光器

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	一种单片集成半导体随机激光器
其他题名	一种单片集成半导体随机激光器
	张明江; 张建忠; 吕天爽; 乔丽君; 刘毅; 赵彤; 王安帮; 王云才
	2019-05-23
专利权人	太原理工大学
公开日期	2019-05-23
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	一种单片集成半导体随机激光器由增益区（A）和随机反馈区（B）两部分组成，包括：一衬底（2）；一下限制层（3），制作在衬底（2）上；一有源层（4），制作在下限制层（3）上；一上限制层（5），制作在有源层（4）上；一波导层（6），为条状，纵向制作在上限制层（5）上面的中间；一P +电极层（7），用隔离沟（8）将其分为两段，制作在波导层（6）上；一N +电极层（1），制作在下限制层（3）的背面。其中，分为两段的P +电极层（7）分别对应于增益区（A）和随机反馈区（B）。随机反馈区（B）采用掺杂波导（9），对增益区（A）发出的光进行随机反馈，进而产生随机激光。这种半导体激光器出射激光的频率、强度都具有随机性，且采用单片集成结构，重量轻、体积小、性能稳定、集成性强。
其他摘要	一种单片集成半导体随机激光器由增益区（A）和随机反馈区（B）两部分组成，包括：一衬底（2）；一下限制层（3），制作在衬底（2）上；一有源层（4），制作在下限制层（3）上；一上限制层（5），制作在有源层（4）上；一波导层（6），为条状，纵向制作在上限制层（5）上面的中间；一P +电极层（7），用隔离沟（8）将其分为两段，制作在波导层（6）上；一N +电极层（1），制作在下限制层（3）的背面。其中，分为两段的P +电极层（7）分别对应于增益区（A）和随机反馈区（B）。随机反馈区（B）采用掺杂波导（9），对增益区（A）发出的光进行随机反馈，进而产生随机激光。这种半导体激光器出射激光的频率、强度都具有随机性，且采用单片集成结构，重量轻、体积小、性能稳定、集成性强。
主权项	一种单片集成半导体随机激光器，其特征在于，包括：一衬底；一下限制层，其制作在衬底上；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P +电极层，其是用隔离沟将其分为两段，制作在波导层上；一N +电极层，其制作在下限制层的背面；其中，分为两段的P +电极层分别对应于增益区和随机反馈区。
申请日期	2018-08-27
专利号	WO2019095528A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/CN2018/000304
公开（公告）号	WO2019095528A1
IPC 分类号	H01S5/34
专利代理人	太原科卫专利事务所(普通合伙)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55249
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张明江,张建忠,吕天爽,等. 一种单片集成半导体随机激光器. WO2019095528A1[P]. 2019-05-23.