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电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序
其他题名电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序
S·D·A·桑达纳亚卡; 松岛敏则; F·本切克; 合志宪一; J-C·里贝里; 安达千波矢; 藤原隆
2019-05-21
专利权人国立大学法人九州大学
公开日期2019-05-21
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
其他摘要本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
主权项一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括: 一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
申请日期2018-02-07
专利号CN109792134A
专利状态申请中
申请号CN201880003730.3
公开(公告)号CN109792134A
IPC 分类号H01S5/36
专利代理人龚泽亮 | 庞东成
代理机构北京三友知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55242
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国立大学法人九州大学
推荐引用方式
GB/T 7714
S·D·A·桑达纳亚卡,松岛敏则,F·本切克,等. 电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序. CN109792134A[P]. 2019-05-21.
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