面射型雷射裝置及其製造方法

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	面射型雷射裝置及其製造方法
其他题名	面射型雷射裝置及其製造方法
	賴力弘; 賴利溫; 莊誌宏; 吳旻倫
	2019-05-01
专利权人	華立捷科技股份有限公司
公开日期	2019-05-01
授权国家	中国台湾
专利类型	发明申请
摘要	本發明公開一種面射型雷射裝置及其製造方法。面射型雷射裝置包括磊晶疊層體、下電極層、上電極層以及電流散佈層。磊晶疊層體包括基材以及位於基材上的第一反射鏡層、主動層以及第二反射鏡層。主動層位於第一反射鏡層與第二反射鏡層之間，以產生一初始光束。下電極層位於磊晶疊層體上，上電極層位於第二反射鏡層上。上電極層與下電極層之間定義出一經過主動層的電流路徑，且上電極層具有一用於定義出一發光區的孔徑。電流散佈層位於第二反射鏡層上並電性連接下電極層。電流散佈層具有一位於所述電流散佈層的一出光側的多個分光結構，且多個所述分光結構位於孔徑內，以使初始光束通過多個分光結構被分為多個子光束。
其他摘要	本發明公開一種面射型雷射裝置及其製造方法。面射型雷射裝置包括磊晶疊層體、下電極層、上電極層以及電流散佈層。磊晶疊層體包括基材以及位於基材上的第一反射鏡層、主動層以及第二反射鏡層。主動層位於第一反射鏡層與第二反射鏡層之間，以產生一初始光束。下電極層位於磊晶疊層體上，上電極層位於第二反射鏡層上。上電極層與下電極層之間定義出一經過主動層的電流路徑，且上電極層具有一用於定義出一發光區的孔徑。電流散佈層位於第二反射鏡層上並電性連接下電極層。電流散佈層具有一位於所述電流散佈層的一出光側的多個分光結構，且多個所述分光結構位於孔徑內，以使初始光束通過多個分光結構被分為多個子光束。
主权项	-
申请日期	2017-10-18
专利号	TW201917964A
专利状态	授权
申请号	TW106135716
公开（公告）号	TW201917964A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/18 \| H01S5/20 \| H01S5/42
专利代理人	賴正健 \| 陳家輝
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55210
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	華立捷科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	賴力弘,賴利溫,莊誌宏,等. 面射型雷射裝置及其製造方法. TW201917964A[P]. 2019-05-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW201917964A.PDF（1482KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文