一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法

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	一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法
其他题名	一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法
	彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽
	2019-04-26
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-04-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法，结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。
其他摘要	本发明提供一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法，结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。
主权项	一种高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。
申请日期	2019-03-01
专利号	CN109687288A
专利状态	申请中
申请号	CN201910156034.2
公开（公告）号	CN109687288A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55200
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,赵炆兼,等. 一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法. CN109687288A[P]. 2019-04-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109687288A.PDF（644KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文