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一种双向输出半导体激光器
其他题名一种双向输出半导体激光器
邹永刚; 海一娜; 范杰; 石琳琳; 王海珠; 兰云萍; 马晓辉; 徐英添; 张贺; 郝永芹
2019-04-26
专利权人长春理工大学
公开日期2019-04-26
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本申请属于半导体封装技术领域,特别是涉及一种双向输出半导体激光器。现有的双向输出半导体激光器结构复杂,制备工艺繁琐。本申请提供了一种双向输出半导体激光器,包括相对设置的N面电极和P面电极,N面电极与P面电极之间设置有功能层,在第一方向上,功能层包括依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层,第一方向为由所述N面电极指向P面电极的方向;P面电极与P型限制层之间设置有二阶光栅层,二阶光栅层设置于P型限制层上。实现了高功率、高光束质量双向激光输出;此外该双向输出半导体激光器制作简单,体积小,适用于半导体激光加工、光纤激光器和固体激光器泵浦等领域应用。
其他摘要本申请属于半导体封装技术领域,特别是涉及一种双向输出半导体激光器。现有的双向输出半导体激光器结构复杂,制备工艺繁琐。本申请提供了一种双向输出半导体激光器,包括相对设置的N面电极和P面电极,N面电极与P面电极之间设置有功能层,在第一方向上,功能层包括依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层,第一方向为由所述N面电极指向P面电极的方向;P面电极与P型限制层之间设置有二阶光栅层,二阶光栅层设置于P型限制层上。实现了高功率、高光束质量双向激光输出;此外该双向输出半导体激光器制作简单,体积小,适用于半导体激光加工、光纤激光器和固体激光器泵浦等领域应用。
主权项一种双向输出半导体激光器,其特征在于:包括相对设置的N面电极(1)和P面电极(2),所述N面电极(1)与所述P面电极(2)之间设置有功能层,在第一方向上,所述功能层包括依次设置的衬底(3)、N型限制层(4)、N型波导层(5)、有源区(6)、P型波导层(7)和P型限制层(8),所述第一方向为由所述N面电极(1)指向所述P面电极(2)的方向; 所述P面电极(2)与所述P型限制层(8)之间设置有二阶光栅层(9),所述二阶光栅层(9)设置于所述P型限制层(8)上。
申请日期2019-01-22
专利号CN109687286A
专利状态申请中
申请号CN201910056761
公开(公告)号CN109687286A
IPC 分类号H01S5/183
专利代理人范盈
代理机构北京市诚辉律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55194
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
邹永刚,海一娜,范杰,等. 一种双向输出半导体激光器. CN109687286A[P]. 2019-04-26.
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CN109687286A.PDF(320KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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