衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片

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	衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片
其他题名	衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片
	李璞; 赵嘉敏; 贾志伟; 王云才; 张星
	2019-04-23
专利权人	太原理工大学
公开日期	2019-04-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片，包括垂直腔面发射激光器结构和衬底掺杂杂质元素结构；所述垂直腔面发射激光器结构是由从上到下依次紧密排列的P面电极、P型分布布拉格反射镜、有源区、N型分布布拉格反射镜及N面电极构成；所述衬底掺杂杂质元素结构是由衬底和大颗粒杂质元素构成；本发明利用随机光反馈产生混沌激光，彻底消除了光反馈半导体激光器的时延特征，并基于垂直腔面发射混沌激光器，阈值电流低，功耗小，输出光沿着垂直于衬底片的方向，易于大规模二维阵列集成，工艺简单，成本低，可广泛应用于保密通信、激光雷达、物理随机数产生等领域。
其他摘要	一种衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片，包括垂直腔面发射激光器结构和衬底掺杂杂质元素结构；所述垂直腔面发射激光器结构是由从上到下依次紧密排列的P面电极、P型分布布拉格反射镜、有源区、N型分布布拉格反射镜及N面电极构成；所述衬底掺杂杂质元素结构是由衬底和大颗粒杂质元素构成；本发明利用随机光反馈产生混沌激光，彻底消除了光反馈半导体激光器的时延特征，并基于垂直腔面发射混沌激光器，阈值电流低，功耗小，输出光沿着垂直于衬底片的方向，易于大规模二维阵列集成，工艺简单，成本低，可广泛应用于保密通信、激光雷达、物理随机数产生等领域。
主权项	一种衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片，包括垂直腔面发射激光器结构和衬底掺杂杂质元素结构；其特征在于：所述垂直腔面发射激光器结构是由从上到下依次紧密排列的P面电极、P型分布布拉格反射镜、有源区、N型分布布拉格反射镜、N面电极构成，其中，P型分布布拉格反射镜、N型分布布拉格反射镜以及夹在它们之间的有源区构成有源谐振腔，提供激光激射所需增益物质，实现粒子数反转，出射激光；所述衬底掺杂杂质元素结构是由衬底和大颗粒杂质元素构成，这一结构对出射光实现随机的后向散射过程，造成随机扰动，最终产生没有时延特征的混沌激光。
申请日期	2019-01-29
专利号	CN109672086A
专利状态	申请中
申请号	CN201910088182.5
公开（公告）号	CN109672086A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	戎文华
代理机构	太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55188
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李璞,赵嘉敏,贾志伟,等. 衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片. CN109672086A[P]. 2019-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109672086A.PDF（316KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文