一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法
其他题名	一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法
	陈泳屹; 贾鹏; 秦莉; 宁永强; 王立军
	2019-04-18
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-04-18
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	本申请提供一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法，所述制作方法通过对P面载流子浓度分布进行周期性调控，比如通过载流子注入制备周期性导电区域，或者通过刻蚀、氧化等手段周期性的去掉原本高导电层的部分结构形成周期性导电区域；由于载流子浓度控制方式不会对光波导造成损坏，从而避免引入应力、氧化等光波导的性质改变。而且，采用载流子浓度控制，在特定区域内形成高浓度载流子，在不需要的区域内没有载流子注入，这样对整条光波导而言载流子引入的损耗降到了最低，尤其是有后端集成设备的时候，低损耗可以保证激光器的能量沿着光波导高效注入到后端集成设备中，提高了能量利用效率。
其他摘要	本申请提供一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法，所述制作方法通过对P面载流子浓度分布进行周期性调控，比如通过载流子注入制备周期性导电区域，或者通过刻蚀、氧化等手段周期性的去掉原本高导电层的部分结构形成周期性导电区域；由于载流子浓度控制方式不会对光波导造成损坏，从而避免引入应力、氧化等光波导的性质改变。而且，采用载流子浓度控制，在特定区域内形成高浓度载流子，在不需要的区域内没有载流子注入，这样对整条光波导而言载流子引入的损耗降到了最低，尤其是有后端集成设备的时候，低损耗可以保证激光器的能量沿着光波导高效注入到后端集成设备中，提高了能量利用效率。
主权项	一种增益耦合分布反馈半导体激光器制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成N面波导层、有源层、P面波导层，所述P面波导层具有凸起结构，具有凸起结构的所述P面波导层与所述有源层和所述N面波导层构成光波导；采用载流子浓度控制方式在所述P面波导层的凸起结构沿所述光波导的延伸方向形成周期性导电区域；制备P面电极和N面电极。
申请日期	2018-10-10
专利号	WO2019072185A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/CN2018/109593
公开（公告）号	WO2019072185A1
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/20 \| H01S5/32 \| H01S5/22
专利代理人	北京集佳知识产权代理有限公司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55182
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈泳屹,贾鹏,秦莉,等. 一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法. WO2019072185A1[P]. 2019-04-18.