一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法

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	一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法
其他题名	一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法
	贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽
	2019-04-19
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-04-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法，芯片包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本发明通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。
其他摘要	本发明提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法，芯片包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本发明通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。
主权项	一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。
申请日期	2019-01-30
专利号	CN109659812A
专利状态	申请中
申请号	CN201910093649
公开（公告）号	CN109659812A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55179
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾钊,赵炆兼,郭冠军,等. 一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法. CN109659812A[P]. 2019-04-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109659812A.PDF（787KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文