单片集成互注入型窄线宽半导体激光器

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	单片集成互注入型窄线宽半导体激光器
其他题名	单片集成互注入型窄线宽半导体激光器
	刘建国; 于海洋; 杨成悟; 邹灿文; 郭锦锦
	2019-04-12
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-04-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器。下包层、第一有源区、第二有源区、对接层、上包层、第一电极层和第二电极层；其中第一有源区、第二有源区通过对接层相连；第一有源区、第二有源区和对接层的下表面均与下包层的上表面相连，其中第一有源区、第二有源区和对接层的上表面均与上包层的下表面相连。本公开中第一有源区和第二有源区通过对接层实现互注入作用，在抑制频率噪声，压窄激光线宽的同时，对激射波长实现锁定，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，提高了频率的稳定性；同时本公开中采用的单片集成，利于完善器件的功能、提高器件的性能、减少器件的体积、降低器件的功耗，从而显著地降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。
其他摘要	本公开提供了一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器。下包层、第一有源区、第二有源区、对接层、上包层、第一电极层和第二电极层；其中第一有源区、第二有源区通过对接层相连；第一有源区、第二有源区和对接层的下表面均与下包层的上表面相连，其中第一有源区、第二有源区和对接层的上表面均与上包层的下表面相连。本公开中第一有源区和第二有源区通过对接层实现互注入作用，在抑制频率噪声，压窄激光线宽的同时，对激射波长实现锁定，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，提高了频率的稳定性；同时本公开中采用的单片集成，利于完善器件的功能、提高器件的性能、减少器件的体积、降低器件的功耗，从而显著地降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。
主权项	一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，包括：下包层；第一有源区，生长于所述下包层上；所述第一有源区自下而上包括：第一多量子阱层和第一相移光栅层；第二有源区，生长于所述下包层上；所述第二有源区自下而上包括：第二多量子阱层和第二相移光栅层；对接层，生长于所述下包层上，所述对接层两端分别与第一有源区和第二有源区连接；上包层，生长于所述第一有源区的第一相移光栅层、所述第二有源区的第二相移光栅层和对接层上；第一电极层和第二电极层，分别生长于所述上包层上，用于引导注入电流。
申请日期	2019-01-24
专利号	CN109616870A
专利状态	申请中
申请号	CN201910071594
公开（公告）号	CN109616870A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343 \| H01S5/12
专利代理人	李坤
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55159
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘建国,于海洋,杨成悟,等. 单片集成互注入型窄线宽半导体激光器. CN109616870A[P]. 2019-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109616870A.PDF（370KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文