一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器

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	一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器
其他题名	一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器
	李召松; 徐洋; 王鹏飞; 张冶金; 于红艳; 潘教青; 王庆飞; 田林岩
	2019-04-02
专利权人	北京万集科技股份有限公司
公开日期	2019-04-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器。其中，所述主振荡放大器包括：基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；基于1xN多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大，并将经过功率放大后的所述种子激光分成多路激光光束输出。本发明提供的1xN型单片集成式半导体主振荡放大器，主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上，主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大，并在经过功率放大后分成多路激光光束输出，有源区的面积增加，增加了功率放大器的饱和输出功率，降低热效应对器件的影响，能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
其他摘要	本发明公开一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器。其中，所述主振荡放大器包括：基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；基于1xN多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大，并将经过功率放大后的所述种子激光分成多路激光光束输出。本发明提供的1xN型单片集成式半导体主振荡放大器，主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上，主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大，并在经过功率放大后分成多路激光光束输出，有源区的面积增加，增加了功率放大器的饱和输出功率，降低热效应对器件的影响，能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
主权项	一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器，其特征在于，包括：基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；基于1xN多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大，并将经过功率放大后的所述种子激光分成多路激光光束输出。
申请日期	2017-09-26
专利号	CN109560464A
专利状态	申请中
申请号	CN201710882586.2
公开（公告）号	CN109560464A
IPC 分类号	H01S5/50
专利代理人	王莹 \| 李相雨
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55114
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京万集科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李召松,徐洋,王鹏飞,等. 一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器. CN109560464A[P]. 2019-04-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109560464A.PDF（553KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文