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一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器
其他题名一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器
李召松; 徐洋; 王鹏飞; 张冶金; 于红艳; 潘教青; 王庆飞; 田林岩
2019-04-02
专利权人北京万集科技股份有限公司
公开日期2019-04-02
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器。其中,所述主振荡放大器包括:基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光;基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。本发明提供的1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上,主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大,有源区面积增加,增加了功率放大器的饱和输出功率,降低热效应对器件的影响,并能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
其他摘要本发明公开一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器。其中,所述主振荡放大器包括:基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光;基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。本发明提供的1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上,主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大,有源区面积增加,增加了功率放大器的饱和输出功率,降低热效应对器件的影响,并能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
主权项一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,其特征在于,包括: 基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光; 基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。
申请日期2017-09-26
专利号CN109560465A
专利状态申请中
申请号CN201710882607.0
公开(公告)号CN109560465A
IPC 分类号H01S5/50
专利代理人王莹 | 李相雨
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55113
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京万集科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
李召松,徐洋,王鹏飞,等. 一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器. CN109560465A[P]. 2019-04-02.
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