应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片

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	应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片
其他题名	应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片
	张杨; 李弋洋
	2019-03-22
专利权人	中科芯电半导体科技(北京)有限公司
公开日期	2019-03-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。
其他摘要	本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。
主权项	一种应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片； (2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为5-2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W； (3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3-5μm后，停止激光刻蚀。
申请日期	2018-12-20
专利号	CN109507006A
专利状态	申请中
申请号	CN201811563848.X
公开（公告）号	CN109507006A
IPC 分类号	G01N1/32 \| G01N21/00 \| G01M11/02 \| H01S5/343 \| H01S5/183
专利代理人	张素红
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55090
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中科芯电半导体科技(北京)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张杨,李弋洋. 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片. CN109507006A[P]. 2019-03-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109507006A.PDF（380KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文