一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法

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	一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法
其他题名	一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法
	戴能利; 娄阳; 胡雄伟; 彭景刚; 杨旅云; 李海清
	2019-03-19
专利权人	华中科技大学
公开日期	2019-03-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种可对近红外发光调控的Er，Yb离子共掺BTO基陶瓷材料及其制备方法，以BaTiO3作为基体，以稀土离子Er3+、Yb3+为掺杂离子，用溶胶‑凝胶法进行稀土离子掺杂BTO基陶瓷制备。本发明掺杂陶瓷材料，实现晶粒的纳米化，对1000nm和1550nm进行2～3nm的频率调控。在915nm或980nm半导体激光源的泵浦下，发出中心波长为1000nm和1550nm的近红外光。当外界环境因素如泵浦功率和环境温度变化时，近红外光的两个中心波长发生频移的现象，尤其是中心波长为1550nm的波段频移更为明显。该掺杂陶瓷材料可用于近红外传感、特定光学波长的探测和特殊稀土离子的微观结构定位等。
其他摘要	本发明公开了一种可对近红外发光调控的Er，Yb离子共掺BTO基陶瓷材料及其制备方法，以BaTiO₃作为基体，以稀土离子Er³⁺、Yb³⁺为掺杂离子，用溶胶‑凝胶法进行稀土离子掺杂BTO基陶瓷制备。本发明掺杂陶瓷材料，实现晶粒的纳米化，对1000nm和1550nm进行2～3nm的频率调控。在915nm或980nm半导体激光源的泵浦下，发出中心波长为1000nm和1550nm的近红外光。当外界环境因素如泵浦功率和环境温度变化时，近红外光的两个中心波长发生频移的现象，尤其是中心波长为1550nm的波段频移更为明显。该掺杂陶瓷材料可用于近红外传感、特定光学波长的探测和特殊稀土离子的微观结构定位等。
主权项	一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料，其特征在于，所述BTO基陶瓷材料中原位掺杂稀土Er3+及Yb3+。
申请日期	2018-11-09
专利号	CN109485411A
专利状态	申请中
申请号	CN201811332070.1
公开（公告）号	CN109485411A
IPC 分类号	C04B35/468 \| C09K11/67 \| C04B35/622
专利代理人	李智 \| 曹葆青
代理机构	华中科技大学专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55082
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	戴能利,娄阳,胡雄伟,等. 一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法. CN109485411A[P]. 2019-03-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109485411A.PDF（849KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文