一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件
其他题名	一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件
	龚国亮; 陈雨金; 黄艺东; 林炎富; 黄建华; 龚兴红; 罗遵度
	2019-03-05
专利权人	中国科学院福建物质结构研究所
公开日期	2019-03-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件。本发明所述晶体的化学通式为(ErxYbyCezA(1‑x‑y‑z))3RM3Si2O14，其中x的范围为0.002～0.02，y的范围为0.005～0.1，z的范围为0～0.15；A为Ca，Sr和Ba中的某一种元素、某两种元素或者三种元素；R为Nb和Ta中的某一种元素或者两种元素；M为Al和Ga元素中的某一种元素或者两种元素。采用所述晶体作为增益介质，利用940nm或980nm波段的半导体激光泵浦，可获得高输出功率、高效率的连续和高能量、窄脉宽的脉冲5μm波段固体激光。
其他摘要	本发明涉及一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件。本发明所述晶体的化学通式为(Er_xYb_yCe_zA_{(1‑x‑y‑z)})₃RM₃Si₂O₁₄，其中x的范围为0.002～0.02，y的范围为0.005～0.1，z的范围为0～0.15；A为Ca，Sr和Ba中的某一种元素、某两种元素或者三种元素；R为Nb和Ta中的某一种元素或者两种元素；M为Al和Ga元素中的某一种元素或者两种元素。采用所述晶体作为增益介质，利用940nm或980nm波段的半导体激光泵浦，可获得高输出功率、高效率的连续和高能量、窄脉宽的脉冲5μm波段固体激光。
主权项	一类铒离子掺杂硅酸盐晶体，其特征在于，所述晶体的化学通式为(ErxYbyCezA(1-x-y-z))3RM3Si2O14，其中x的范围为0.002～0.02，y的范围为0.005～0.10，z的范围为0～0.15；A选自元素Ca，Sr和Ba中的某一种、某两种或三种；R选自元素Nb和Ta中的某一种或两种；M选自元素Al和Ga中的某一种或两种。
申请日期	2017-09-01
专利号	CN109428257A
专利状态	申请中
申请号	CN201710780466.1
公开（公告）号	CN109428257A
IPC 分类号	H01S3/16 \| H01S3/091 \| H01S3/117 \| H01S3/11 \| H01S3/109
专利代理人	刘元霞
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55044
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	龚国亮,陈雨金,黄艺东,等. 一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其5微米波段激光器件. CN109428257A[P]. 2019-03-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109428257A.PDF（474KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文