延长腔面光源VCSEL及其应用

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	延长腔面光源VCSEL及其应用
其他题名	延长腔面光源VCSEL及其应用
	王俊; 谭少阳; 赵智德; 荣宇峰; 廖新胜
	2019-03-01
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种延长腔面光源VCSEL及其应用，其中，延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，上DBR结构与下DBR结构之间形成延长腔面光源VCSEL的谐振腔，上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，下DBR结构与外延片之间还设置有第二介质薄膜。本发明通过介质薄膜增加半导体激光器谐振腔腔长，进而改变激光器的模式，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。
其他摘要	本发明提供一种延长腔面光源VCSEL及其应用，其中，延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，上DBR结构与下DBR结构之间形成延长腔面光源VCSEL的谐振腔，上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，下DBR结构与外延片之间还设置有第二介质薄膜。本发明通过介质薄膜增加半导体激光器谐振腔腔长，进而改变激光器的模式，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。
主权项	一种延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述延长腔面光源VCSEL包括：-N面电极、衬底层、外延层、P面电极；所述P面电极、外延层、衬底层、-N面电极自上而下依次层叠设置，所述P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述上DBR结构与下DBR结构之间形成所述延长腔面光源VCSEL的谐振腔，所述上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，所述下DBR结构与所述外延片之间还设置有第二介质薄膜。
申请日期	2018-12-29
专利号	CN109412019A
专利状态	申请中
申请号	CN201811633021
公开（公告）号	CN109412019A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55039
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,谭少阳,赵智德,等. 延长腔面光源VCSEL及其应用. CN109412019A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109412019A.PDF（288KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文