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能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器
其他题名能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器
晏长岭; 刘云; 冯源; 杨静航; 逄超
2019-03-01
专利权人长春理工大学
公开日期2019-03-01
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光,器件体积较大,腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极;欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱;在所述空心圆柱中有高阻区;其特征在于,上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域,下电极位于衬底下表面边缘的局部区域,上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交,上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°~90°范围内。
其他摘要能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光,器件体积较大,腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极;欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱;在所述空心圆柱中有高阻区;其特征在于,上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域,下电极位于衬底下表面边缘的局部区域,上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交,上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°~90°范围内。
主权项一种能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器,自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8);欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个空心圆柱,该空心圆柱的内径为85~95μm、外径为115~125μm;氧化物限制层(4)的形状为环形,所述环形的宽度为3~5μm,所述环形的外径与所述空心圆柱的外径相同;在所述空心圆柱中有高阻区(9),高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)接触,高阻区(9)的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜(3)的内镜面、低于上分布布拉格反射镜(3)的外镜面;其特征在于,上电极(1)位于欧姆接触层(2)上表面边缘的局部区域,下电极(8)位于衬底(7)下表面边缘的局部区域,上电极(1)的几何中心、下电极(8)的几何中心的连线与激光器轴线相交,上电极(1)的圆心角(θ′)、下电极的圆心角(θ″)均在30°~90°范围内。
申请日期2018-10-25
专利号CN109412016A
专利状态授权
申请号CN201811252788.X
公开(公告)号CN109412016A
IPC 分类号H01S5/183
专利代理人王丹阳
代理机构长春众邦菁华知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55036
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
晏长岭,刘云,冯源,等. 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器. CN109412016A[P]. 2019-03-01.
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