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柔性VCSEL阵列器件及其制备方法
其他题名柔性VCSEL阵列器件及其制备方法
李川川; 韦欣; 李健; 汪超; 廖文渊
2019-02-22
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2019-02-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法,属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底,所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成,去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括:制备VCSEL阵列单元外延结构;在所述VCSEL阵列单元上制备上电极,并实现电极互连;在所述上电极上粘接嫁接基底;剥离所述外延结构的衬底;制备下电极并形成欧姆接触;将所述下电极与柔性基底粘接,并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。
其他摘要本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法,属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底,所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成,去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括:制备VCSEL阵列单元外延结构;在所述VCSEL阵列单元上制备上电极,并实现电极互连;在所述上电极上粘接嫁接基底;剥离所述外延结构的衬底;制备下电极并形成欧姆接触;将所述下电极与柔性基底粘接,并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。
主权项一种柔性VCSEL阵列器件制备方法,包括: 制备VCSEL阵列单元外延结构; 在所述VCSEL阵列单元上制备上电极(11),并实现电极互连; 在所述上电极(11)上粘接嫁接基底(10); 剥离所述外延结构的衬底(8); 在所述VCSEL阵列单元底部制备下电极(13)并形成欧姆接触; 将所述下电极(13)与柔性基底(14)粘接,并去除所述嫁接基底(10)。
申请日期2018-12-13
专利号CN109378709A
专利状态申请中
申请号CN201811529496.6
公开(公告)号CN109378709A
IPC 分类号H01S5/42 | H01S5/30 | H01S5/20 | H01S5/183 | H01S5/065
专利代理人张宇园
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55026
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李川川,韦欣,李健,等. 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法. CN109378709A[P]. 2019-02-22.
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