Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
柔性VCSEL阵列器件及其制备方法 | |
其他题名 | 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法 |
李川川; 韦欣; 李健; 汪超; 廖文渊 | |
2019-02-22 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2019-02-22 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法,属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底,所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成,去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括:制备VCSEL阵列单元外延结构;在所述VCSEL阵列单元上制备上电极,并实现电极互连;在所述上电极上粘接嫁接基底;剥离所述外延结构的衬底;制备下电极并形成欧姆接触;将所述下电极与柔性基底粘接,并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。 |
其他摘要 | 本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法,属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底,所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成,去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括:制备VCSEL阵列单元外延结构;在所述VCSEL阵列单元上制备上电极,并实现电极互连;在所述上电极上粘接嫁接基底;剥离所述外延结构的衬底;制备下电极并形成欧姆接触;将所述下电极与柔性基底粘接,并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。 |
主权项 | 一种柔性VCSEL阵列器件制备方法,包括: 制备VCSEL阵列单元外延结构; 在所述VCSEL阵列单元上制备上电极(11),并实现电极互连; 在所述上电极(11)上粘接嫁接基底(10); 剥离所述外延结构的衬底(8); 在所述VCSEL阵列单元底部制备下电极(13)并形成欧姆接触; 将所述下电极(13)与柔性基底(14)粘接,并去除所述嫁接基底(10)。 |
申请日期 | 2018-12-13 |
专利号 | CN109378709A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201811529496.6 |
公开(公告)号 | CN109378709A |
IPC 分类号 | H01S5/42 | H01S5/30 | H01S5/20 | H01S5/183 | H01S5/065 |
专利代理人 | 张宇园 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55026 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李川川,韦欣,李健,等. 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法. CN109378709A[P]. 2019-02-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109378709A.PDF(605KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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