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光電半導體元件及其製作方法
其他题名光電半導體元件及其製作方法
錢文正; 黃田昊; 吳上義
2015-03-01
专利权人聯京光電股份有限公司
公开日期2015-03-01
授权国家中国台湾
专利类型发明申请
摘要一種光電半導體元件,包括基材、第一實心介層插塞、光電半導體晶片、螢光層以及封膠體。其中,第一實心介層插塞貫穿基材。光電半導體晶片封膠體,具有一第一電極,對準並與第一實心介層插塞電性連接。螢光層覆蓋於光電半導體晶片之至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導體晶片以及螢光層。
其他摘要一種光電半導體元件,包括基材、第一實心介層插塞、光電半導體晶片、螢光層以及封膠體。其中,第一實心介層插塞貫穿基材。光電半導體晶片封膠體,具有一第一電極,對準並與第一實心介層插塞電性連接。螢光層覆蓋於光電半導體晶片之至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導體晶片以及螢光層。
主权项-
申请日期2013-08-29
专利号TW201508954A
专利状态申请中
申请号TW102131131
公开(公告)号TW201508954A
IPC 分类号H01L33/48
专利代理人郭曉文
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54448
专题半导体激光器专利数据库
作者单位聯京光電股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
錢文正,黃田昊,吳上義. 光電半導體元件及其製作方法. TW201508954A[P]. 2015-03-01.
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TW201508954A.PDF(924KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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