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光半導体装置とその製造方法
其他题名光半導体装置とその製造方法
下川 一生; 冨岡 泰造
2007-07-12
专利权人TOSHIBA CORP
公开日期2007-07-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 効率が高く、信頼性が高い光半導体装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体素子1のリードフレーム12へのマウントをする際に、半導体素子 1およびリードフレームの接合される領域については、Ag,もしくはAg合金によるめ っき膜4を施し、なおかつ、マウントにおける接合材料としてはナノ粒子を含む導電性接 着剤11を用いた。これにより光半導体素子からの発熱を効率的にパッケージ外に放出す るとともに、光を放出する性能を維持しやすい構造が構成でき、長期にわたる信頼性も確 保できた。 【選択図】図2
其他摘要提供一种具有高效率和高可靠性的光学半导体器件及其制造方法。 解决方案:当在引线框架12上安装半导体元件1时,半导体元件 如图1所示,引线框架的待连接区域由Ag或Ag合金制成 作为安装件中的接合材料,包含纳米颗粒的导电膜 使用敷料11。结果,从光学半导体元件产生的热量可以有效地释放到封装外部 另外,可以构造容易保持发光性能的结构,并且还确保长期可靠性 它得以维持。 .The
主权项-
申请日期2005-12-26
专利号JP2007180059A
专利状态失效
申请号JP2005373392
公开(公告)号JP2007180059A
IPC 分类号H01L33/56 | H01L33/60 | H01L33/62 | H01L33/50 | H01L33/64 | H01L33/00 | H01L33/30
专利代理人堀口 浩
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/53759
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOSHIBA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
下川 一生,冨岡 泰造. 光半導体装置とその製造方法. JP2007180059A[P]. 2007-07-12.
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JP2007180059A.PDF(60KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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