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Laser amplifier
其他题名Laser amplifier
KAWANAKA, JUNJI; FUJITA, MASAYUKI; IZAWA, YASUKAZU
2005-10-20
专利权人JAPAN ATOMIC ENERGY RESEARCH INSTITUTE
公开日期2005-10-20
授权国家美国
专利类型发明申请
摘要A method and an apparatus capable of efficient laser amplification by cooling a semiconductor laser pumped, ytterbium doped YAG crystal to a temperature between 8 K and 230 K.
其他摘要一种能够通过将半导体激光器泵浦的掺镱YAG晶体冷却到8K和230K之间的温度来进行有效激光放大的方法和装置。
主权项A laser amplifier which enables highly efficient laser amplification by cryogenic cooling of a semiconductor laser pumped, ytterbium doped YAG crystal (Yb3+:Y3AlO12).
申请日期2005-01-19
专利号US20050232318A1
专利状态失效
申请号US11/037465
公开(公告)号US20050232318A1
IPC 分类号H01S3/10 | H01S3/04 | H01S3/042 | H01S3/094 | H01S3/0941 | H01S3/16
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/53535
专题半导体激光器专利数据库
作者单位JAPAN ATOMIC ENERGY RESEARCH INSTITUTE
推荐引用方式
GB/T 7714
KAWANAKA, JUNJI,FUJITA, MASAYUKI,IZAWA, YASUKAZU. Laser amplifier. US20050232318A1[P]. 2005-10-20.
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